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Fil:Ezeyza Cutó, Susana. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales; Argentina.

El análisis de variables económicas y sociales es vital para entender causas y consecuencias de los hechos que suceden a diario tanto a niveles agregados, como localizados. Se plantea un análisis del Aglomerado Río Cuarto, tanto en términos de desarrollo económico y social, a través del Índice de Progreso Social; como en términos de crecimiento económico, con la utilización del Índice de Actividad Económica Urbana. El problema que guía la investigación es qué relación podría existir entre el crecimiento económico y el progreso social en el Aglomerado Río Cuarto en el período 2003-2014. Determinando como hipótesis que existe relación directa entre crecimiento económico y progreso social. En primer lugar, se diseñó un índice subjetivo, denominado Índice de Progreso Social, el cual mide en forma ponderada cinco categorías de variables, a saber: Educación, Salud, Empleo, Vivienda y Seguridad. En segundo lugar, en base al marco teórico del Leading Economic Indicators Approach del NBER (década 1930) y la metodología, fundamentalmente planteada por Jorrat (2003) en el Índice Mensual de Actividad Económica de Tucumán (IMAT), seguidos por el Índice Compuesto de Actividad Económica de Santa Fe (ICASFe), el Índice Coincidente de Actividad Económica de Córdoba (ICACor), entre otros, se construyó el Índice de Actividad Económica Urbana. Se aplicó el estudio al Aglomerado Río Cuarto, en el espacio temporal que va desde el año 2003 hasta concluido el 2014. Donde la hipótesis planteada fue verificada positivamente.

El rápido desarrollo de la tecnología de memorias electrónicas acompaña la evolución continua de la tecnología informática y otros dispositivos electrónicos de consumo, como reproductoras de audio digital, cámaras digitales y teléfonos móviles. En la actualidad, dos tipos de memoria dominan el mercado: la memoria dirigida eléctricamente y la memoria dirigida mecánicamente. El primero caso incluye típicamente las memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM) y las memorias FLASH. La memoria direccionada mecánicamente se refiere principalmente a la memoria de almacenamiento magnético, típicamente los discos duros, que tiene una capacidad de almacenamiento mucho más alta y un precio más bajo que la DRAM y la memoria flash, pero presentan bajas velocidades de escritura y lectura.Las memorias DRAM están compuestas básicamente por un transistor y un condensador que almacenan carga. Si bien presentan excelentes prestaciones en cuanto a durabilidad (1016 ciclos de escritura), velocidad de lectura/escritura (<10ns) o consumo de energía (10-15 J/bit), poseen la desventaja de que son volátiles, es decir, la información que almacenan se pierde si se suspende su alimentación eléctrica. Por otra parte, las memorias FLASH son no volátiles ?poseen tiempos de retención de alrededor de 10 años- pero presentan como desventaja su baja velocidad de escritura (1s-10ms), alto consumo de energía (10-10 J/bit) y durabilidad limitada (105 ciclos de escritura). En base a lo descripto, el mercado de memorias electrónicas requiere una nueva tecnología de memorias no volátiles que combinen las ventajas de las DRAM y las FLASH, sin presentar sus desventajas.Muchas empresas e institutos de investigación están involucrados en el desarrollo de nuevas tecnologías de memorias, como la RAM magnética (MRAM), la RAM Ferroeléctrica (FeRAM), memorias de cambio de fase (PCM) y la RAM Resistiva (RRAM). Se espera que la tecnología que prevalezca pueda reemplazar a las memorias de semiconductores existentes; para esto, es necesario que sean compatibles con la tecnología CMOS estándar. Una celda RRAM ?también llamado memresistor- consiste básicamente en una estructura metal / aislante / metal (MIM). El principio de la tecnología RRAM es la conmutación de los estados de resistencia ?llamado usualmente conmutación resistiva o resistive switching- de la capa aislante aplicando un estímulo eléctrico adecuado. De esta forma, es posible obtener estados de ?baja resistencia? (RLOW o ON) y estados de alta resistencia (RHIGH o OFF) no volátiles, correspondientes a estados "1" y "0" lógicos. Los materiales dieléctricos que presentan este efecto comprenden una gran variedad de óxidos de metales de transición binarios y complejos, incluyendo óxidos de tipo perovskita. Los primeros reportes de efectos de conmutación resistiva datan de la década del 60?, pero fue en la primera década de este siglo cuando se disparó un notable interés en este efecto, tanto a nivel de ciencia básica como de desarrollo de dispositivos, motivado por el interés tecnológico ya descripto. Sin embargo, a la fecha no están completamente comprendidos y controlados a la nanoescala los mecanismos que originan la conmutación resistiva, lo que constituye un cuello de botella para la implementación masiva de esta tecnología.Por otra parte, algunas características del comportamiento eléctrico de los memresistores emulan el de las sinapsis neuronales, por lo que en los últimos años se ha disparado el interés para usar este tipo de dispositivos en el desarrollo de circuitos neuromórficos, que emulen la enorme capacidad de cálculo con baja energía de los sistemas biológicos, capaces de realizar tareas complejas como el reconocimiento de imágenes de manera extremadamente eficiente.Este trabajo de Tesis contribuye con el estudio de los mecanismos memresistivos existentes en sistemas basados en films delgados de distintas manganitas, tanto a partir de mediciones macroscópicas como en la nanoescalaSe estudiaron dispositivos de memoria resistiva basados en las manganitas La1/3Ca2/3MnO3, La1/2Sr1/2Mn1/2Co1/2O3, y TbMnO3 en forma de películas delgadas depositadas sobre sustratos de n-Si, Si/Pt y Nb:SrTiO3. Los depósitos de los óxidos se realizaron mediante la técnica de ablación por láser pulsado.

Fil:Fortis, Ana María. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales; Argentina.

Los objetivos de la presente tesis consisten en: i) verificar que el dopado con material fisionable no sólo sirve para simular irradiaciones con neutrones rápidos, sino que constituye un método experimental válido y eficaz para el estudio del crecimiento por irradiación en forma acelerada, y ii) demostrar la validez del uso de pares bimetálicos para medir cinéticas de crecimiento a bajas dosis en reactores experimentales.

El crecimiento post-defoliación se explica por cambios morfológicos y/o fisiológicos que permiten a las plantas recuperar el balance de carbono y en consecuencia la biomasa. Comprender la dinámica temporal de los mecanismos que explican las respuestas de crecimiento post-defoliación tanto a escala de planta individual como de canopeo, es fundamental a la hora de planificar un uso eficiente de los recursos forrajeros. En esta tesis se evaluó el efecto de la interacción de la defoliación y la disponibilidad de recursos sobre la dinámica de los componentes morfológico y fisiológico que explican la recuperación post-defoliación para dos escalas: planta individual y canopeo de pastizal. Asimismo, se evaluó la capacidad del índice de reflectancia fotoquímica (IRF) como estimador de la eficiencia de uso de la radiación (EUR) en ambas escalas. Los resultados mostraron que el componente morfológico fue más importante en explicar el crecimiento en respuesta a la fertilización o inundación parcial, mientras que el fisiológico lo fue bajo sequía tanto para plantas individuales como canopeos de pastizal. Sin embargo, la interacción de dichas situaciones con la defoliación determinó un nuevo balance entre los componentes del crecimiento en ambas escalas, aumentando la importancia relativa del componente fisiológico. Por su parte, el IRF resultó un buen estimador de la EUR, independientemente de la disponibilidad de recursos y para ambas escalas de análisis. Finalmente, conocer como varía la EUR de pastizales en respuesta a cambios en la disponibilidad de recursos permitirá realizar una estimación más precisa de la productividad primaria neta aérea (PPNA); y a su vez, conocer la dinámica de los componentes morfológicos y fisiológicos durante el rebrote puede ayudar en la planificación de un manejo más ajustado de los tiempos de ocupación y descanso de pastizales, frente a cambios en la disponibilidad hídrica y/o de nutrientes.

Tesis presentada para optar al Grado de Doctor en Ciencias Naturales

El objetivo de esta tesis es conocer cómo se desarrollan los músculos y los huesos de los miembros posteriores durante la vida postnatal de Rhea americana y la relación que presentan con respecto a la masa corporal para ulteriormente conocer las posibles implicancias que estos rasgos pudieran tener en el estilo cursorial de locomoción. Se estudiaron un total de 22 ejemplares: 15 juveniles (de uno, tres, cinco y ocho meses de edad) y siete adultos de Rhea americana. En cada animal se tomó la masa corporal y la masa individual de 21 músculos del miembro posterior. Asimismo se analizó la variación métrica del fémur, tibiotarso y tarsometatarso. Se estudió macroscópicamente la maduración de las piezas óseas así como también la relación entre los accidentes óseos y el grado de desarrollo y extensión de los músculos para evaluar las implicancias que pudieran tener estos resultados en el campo de la paleobiología. La relación entre la masa corporal con la masa muscular (isometría o alometría) y con las diferentes medidas óseas fueron analizadas mediante regresión lineal.

La presente tesis doctoral busca reconocer procesos evolutivos de reprogramación al estudiar el desarrollo embrionario, determinar la secuencia de osificación y la diferenciación muscular en Psittaciformes en un contexto filogenético apropiado y explorar de qué manera dichos patrones pueden correlacionarse con estrategias adaptativas. Se toma como modelo a la cotorra Myiopsitta monachus y se focaliza en las novedades morfológicas del complejo cráneo-mandibular y en la altricialidad características de los Psittaciformes.