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Crecimiento de Geotrichum klebahnii y expresión de protopectinasa-SE

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Autores/as: Sebastián Fernando Cavalitto ; Carlos Fernando Mignone

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Institución detectada Año de publicación Navegá Descargá Solicitá
No requiere 2003 SEDICI: Repositorio Institucional de la UNLP (SNRD) acceso abierto Descargá directamente

Cobertura temática: Ciencias biológicas  

La búsqueda de nuevas enzimas capaces de ser empleadas en procesos industriales que puedan reemplazar a métodos químicos tradicionales es una actividad constante en la Biotecnología. Una vez detectado el biocatalizador con las propiedades buscadas, debe ser purificado para estudiar sus propiedades más relevantes y los factores que controlan su eficiencia en la aplicación deseada. Si bien la elección de la cepa microbiana adecuada es vital para la producción de dichas enzimas, el proceso de producción también resulta ser de gran importancia a la hora de escalar el proceso de producción. Las enzimas pécticas han sido utilizadas en diversas industrias desde hace más de medio siglo. La industria que más se ha beneficiado de ellas es la industria alimentaria. La mayor aplicación industrial de las pectinasas se encuentra en la industria procesadora de jugos de frutas, ayudando, junto con otro tipo de enzimas a optimizar los procesos de filtración y clarificación. Geotrichum klebahnii es un hongo levaduriforme que crece en medios sintéticos y produce una pectinasa capaz de solubilizar pectina a partir de residuos vegetales.

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Crecimiento de la población y cambio agrario

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ISBNs: 978-9-68120-040-4 (impreso) 978-6-07628-298-4 (en línea)

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No requiere 1979 Directory of Open access Books acceso abierto Descargá directamente
No requiere 1979 JSTOR acceso abierto Descargá directamente

Cobertura temática: Ciencias sociales - Sociología  


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Crecimiento de películas de dióxido de titanio con un arco catódico: funcionalización de superficies

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Autores/as: Ariel Javier Kleiman ; Adriana Márquez

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Institución detectada Año de publicación Navegá Descargá Solicitá
No requiere 2011 Biblioteca Digital (FCEN-UBA) (SNRD) acceso abierto Descargá directamente

Cobertura temática: Ciencias de la tierra y ciencias ambientales relacionadas  

El dióxido de titanio es extensamente investigado debido a sus excepcionales propiedades eléctricas, ópticas y físico-químicas que lo convierten en un material apto para una gran variedad de aplicaciones. El empleo de películas delgadas de TiO2 como material sensitivo en sensores de gases tóxicos, y su utilización como fotocatalizadores para la degradación de contaminantes en agua, se encuentran entre las áreas más investigadas sobre este material semiconductor. El TiO2 cristaliza principalmente en tres estructuras diferentes: rutilo, anatasa y brookita; siendo la anatasa, fase meta-estable, la que presenta mejor rendimiento en las aplicaciones mencionadas. La producción de films de TiO2 ha sido desarrollada mediante una gran variedad de técnicas de deposición, entre las cuales se encuentran los arcos catódicos. En estos equipos se genera una descarga de alta corriente y baja tensión entre dos electrodos inmersos en una cámara de vacío. Material del cátodo es ionizado y eyectado hacia adelante, formando un haz de iones metálicos. Al inyectar gases reactivos a baja presión, los iones metálicos pueden combinarse químicamente con las partículas del gas. Colocando un sustrato frente al cátodo, una variedad de recubrimientos pueden ser obtenidos. La estructura de las películas de TiO2 obtenidas con esta técnica depende fuertemente de la temperatura del sustrato durante el crecimiento del film y de la energía de los iones involucrados. En el presente trabajo se obtuvieron, por arco catódico, películas delgadas de TiO2 sobre sustratos de vidrio y de silicio. Los films resultaron uniformes, compactos y con buena adhesión al sustrato. Los mismos fueron crecidos en fase anatasa a 400 oC, o en fase amorfa a temperatura ambiente, y luego cristalizados en fase anatasa mediante un tratamiento térmico. La estructura de las películas fue analizada por difracción de rayos X y espectroscopía Raman. El espesor y la densidad de los recubrimientos fueron determinados mediante reflectometría de rayos X (XRR). Para las densidades se obtuvieron valores en el rango 3,88 – 4,13 g/cm3, cercanos al valor tabulado para la anatasa. Los espesores dependieron del tiempo de exposición a la descarga, observándose una tasa de deposición de ~ 2,7 nm/s. Las señales de XRR fueron ajustadas, con buen acuerdo, por señales simuladas considerando una capa de agua adsorbida sobre los films. La morfología superficial de los recubrimientos fue estudiada por microscopía de barrido electrónico y de fuerza atómica. Los films crecidos a 400 oC presentaron un menor tamaño de grano, y una menor rugosidad, que los films obtenidos a temperatura ambiente. Asimismo, estas magnitudes resultaron menores en los recubrimientos realizados sobre vidrio respecto de los depositados sobre silicio. Considerando todos los casos, los tamaños de grano estuvieron en el rango 15 – 100 nm. Se estudiaron también propiedades ópticas de los films en el rango visible, sin observarse diferencias significativas entre las muestras crecidas a diferentes temperaturas. La transmitancia media fue de ~ 80 %, la reflectancia difusa de ~ 5 %, el índice de refracción de ~ 2,8 y el band-gap de ~ 3,4 eV. La adhesión se analizó mediante los tests de la cinta adhesiva y de rayado, mostrando mejores resultados los films crecidos a alta temperatura. Se estudiaron también las propiedades del plasma generado por la descarga, relacionándolas con las características observadas en los films. El análisis se realizó a partir de mediciones con una sonda electrostática y empleando un modelo uni- dimensional que considera las interacciones del plasma metálico con el O2. A los films crecidos sobre vidrio se les realizó también una caracterización orientada a su empleo en sensado de gases y en purificación de agua por fotocatálisis. Se estudió la respuesta de la resistencia eléctrica de los films ante variaciones en la presión ambiente, en aire y O2, observándose una disminución de la sensibilidad al aumentar la temperatura. La sensibilidad fue mayor en los films depositados con calentamiento in-situ, y aumentó al incrementarse el espesor de la película. La respuesta fotocatalítica de los films fue evaluada a través la eficiencia en la reducción Cr(VI), en presencia de EDTA, asistida por irradiación UV. No se observaron diferencias en los rendimientos de las películas crecidas a distintas temperaturas. Por otro lado, los films crecidos por arco mostraron una menor actividad que películas de TiO2 P-25, obtenidas por dip-coating, utilizadas como referencia. Sin embargo, la eficiencia de las películas depositadas por arco aumentó al incrementarse el espesor, llegando a lograrse un 100 % de reducción de Cr(VI) luego de 6 horas de irradiación.

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Crecimiento de Prosopis alba Griseb sometido a diferentes intensidades de poda

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Autores/as: Marcos Antonio Atanasio ; Ernesto Hector Crechi

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No requiere 2012 INTA Digital (SNRD) acceso abierto Descargá directamente

Cobertura temática: Agricultura, silvicultura y pesca  

Tesis para obtener el grado de Magíster Scientiae en Ciencias Forestales – Orientación en Silvicultura y Manejo Forestal,, de la Universidad Nacional de Misiones, en mayo de 2012

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Crecimiento de tejidos normales y neoplásicos, "in vitro": modificación en la reserva alcalina del medio

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Autores/as: Susana Ezeyza Cutó ; Luis M. Correa Urquiza ; Angel H. Roffo

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No requiere 1940 Biblioteca Digital (FCEN-UBA) (SNRD) acceso abierto Descargá directamente
Fil:Ezeyza Cutó, Susana. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales; Argentina.

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Crecimiento económico y distribución del ingreso en el Perú

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Cobertura temática: Economía y negocios  


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Crecimiento Económico y Progreso Social en el Aglomerado Río Cuarto: Período 2003-2014

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Autores/as: Diego José Cambría ; Roberto Tafani ; Nora Lac Prugent

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No requiere 2020 Repositorio Hipermedial UNR (SNRD) acceso abierto Descargá directamente

Cobertura temática: Economía y negocios  

El análisis de variables económicas y sociales es vital para entender causas y consecuencias de los hechos que suceden a diario tanto a niveles agregados, como localizados. Se plantea un análisis del Aglomerado Río Cuarto, tanto en términos de desarrollo económico y social, a través del Índice de Progreso Social; como en términos de crecimiento económico, con la utilización del Índice de Actividad Económica Urbana. El problema que guía la investigación es qué relación podría existir entre el crecimiento económico y el progreso social en el Aglomerado Río Cuarto en el período 2003-2014. Determinando como hipótesis que existe relación directa entre crecimiento económico y progreso social. En primer lugar, se diseñó un índice subjetivo, denominado Índice de Progreso Social, el cual mide en forma ponderada cinco categorías de variables, a saber: Educación, Salud, Empleo, Vivienda y Seguridad. En segundo lugar, en base al marco teórico del Leading Economic Indicators Approach del NBER (década 1930) y la metodología, fundamentalmente planteada por Jorrat (2003) en el Índice Mensual de Actividad Económica de Tucumán (IMAT), seguidos por el Índice Compuesto de Actividad Económica de Santa Fe (ICASFe), el Índice Coincidente de Actividad Económica de Córdoba (ICACor), entre otros, se construyó el Índice de Actividad Económica Urbana. Se aplicó el estudio al Aglomerado Río Cuarto, en el espacio temporal que va desde el año 2003 hasta concluido el 2014. Donde la hipótesis planteada fue verificada positivamente.

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Crecimiento por ablación láser de films delgados de óxidos con propiedades de memoria resistiva

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Autores/as: Wilson Stibens Roman Acevedo ; Diego Rubi

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No requiere 2019 CONICET Digital (SNRD) acceso abierto Descargá directamente

Cobertura temática: Ciencias físicas  

El rápido desarrollo de la tecnología de memorias electrónicas acompaña la evolución continua de la tecnología informática y otros dispositivos electrónicos de consumo, como reproductoras de audio digital, cámaras digitales y teléfonos móviles. En la actualidad, dos tipos de memoria dominan el mercado: la memoria dirigida eléctricamente y la memoria dirigida mecánicamente. El primero caso incluye típicamente las memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM) y las memorias FLASH. La memoria direccionada mecánicamente se refiere principalmente a la memoria de almacenamiento magnético, típicamente los discos duros, que tiene una capacidad de almacenamiento mucho más alta y un precio más bajo que la DRAM y la memoria flash, pero presentan bajas velocidades de escritura y lectura.Las memorias DRAM están compuestas básicamente por un transistor y un condensador que almacenan carga. Si bien presentan excelentes prestaciones en cuanto a durabilidad (1016 ciclos de escritura), velocidad de lectura/escritura (<10ns) o consumo de energía (10-15 J/bit), poseen la desventaja de que son volátiles, es decir, la información que almacenan se pierde si se suspende su alimentación eléctrica. Por otra parte, las memorias FLASH son no volátiles ?poseen tiempos de retención de alrededor de 10 años- pero presentan como desventaja su baja velocidad de escritura (1s-10ms), alto consumo de energía (10-10 J/bit) y durabilidad limitada (105 ciclos de escritura). En base a lo descripto, el mercado de memorias electrónicas requiere una nueva tecnología de memorias no volátiles que combinen las ventajas de las DRAM y las FLASH, sin presentar sus desventajas.Muchas empresas e institutos de investigación están involucrados en el desarrollo de nuevas tecnologías de memorias, como la RAM magnética (MRAM), la RAM Ferroeléctrica (FeRAM), memorias de cambio de fase (PCM) y la RAM Resistiva (RRAM). Se espera que la tecnología que prevalezca pueda reemplazar a las memorias de semiconductores existentes; para esto, es necesario que sean compatibles con la tecnología CMOS estándar. Una celda RRAM ?también llamado memresistor- consiste básicamente en una estructura metal / aislante / metal (MIM). El principio de la tecnología RRAM es la conmutación de los estados de resistencia ?llamado usualmente conmutación resistiva o resistive switching- de la capa aislante aplicando un estímulo eléctrico adecuado. De esta forma, es posible obtener estados de ?baja resistencia? (RLOW o ON) y estados de alta resistencia (RHIGH o OFF) no volátiles, correspondientes a estados "1" y "0" lógicos. Los materiales dieléctricos que presentan este efecto comprenden una gran variedad de óxidos de metales de transición binarios y complejos, incluyendo óxidos de tipo perovskita. Los primeros reportes de efectos de conmutación resistiva datan de la década del 60?, pero fue en la primera década de este siglo cuando se disparó un notable interés en este efecto, tanto a nivel de ciencia básica como de desarrollo de dispositivos, motivado por el interés tecnológico ya descripto. Sin embargo, a la fecha no están completamente comprendidos y controlados a la nanoescala los mecanismos que originan la conmutación resistiva, lo que constituye un cuello de botella para la implementación masiva de esta tecnología.Por otra parte, algunas características del comportamiento eléctrico de los memresistores emulan el de las sinapsis neuronales, por lo que en los últimos años se ha disparado el interés para usar este tipo de dispositivos en el desarrollo de circuitos neuromórficos, que emulen la enorme capacidad de cálculo con baja energía de los sistemas biológicos, capaces de realizar tareas complejas como el reconocimiento de imágenes de manera extremadamente eficiente.Este trabajo de Tesis contribuye con el estudio de los mecanismos memresistivos existentes en sistemas basados en films delgados de distintas manganitas, tanto a partir de mediciones macroscópicas como en la nanoescalaSe estudiaron dispositivos de memoria resistiva basados en las manganitas La1/3Ca2/3MnO3, La1/2Sr1/2Mn1/2Co1/2O3, y TbMnO3 en forma de películas delgadas depositadas sobre sustratos de n-Si, Si/Pt y Nb:SrTiO3. Los depósitos de los óxidos se realizaron mediante la técnica de ablación por láser pulsado.

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Crecimiento por irradiación a bajas dosis en circonio

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Autores/as: Ana María Fortis ; Héctor C. González

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No requiere 1986 Biblioteca Digital (FCEN-UBA) (SNRD) acceso abierto Descargá directamente
Fil:Fortis, Ana María. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales; Argentina.

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Crecimiento por irradiación en circonio a altas temperaturas

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Autores/as: Guillermina Delfina Hilda Coccoz ; Héctor Carlos González ; Ana María Fortis

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No requiere 1995 SEDICI: Repositorio Institucional de la UNLP (SNRD) acceso abierto Descargá directamente

Cobertura temática: Ciencias naturales - Ciencias físicas  

Los objetivos de la presente tesis consisten en: i) verificar que el dopado con material fisionable no sólo sirve para simular irradiaciones con neutrones rápidos, sino que constituye un método experimental válido y eficaz para el estudio del crecimiento por irradiación en forma acelerada, y ii) demostrar la validez del uso de pares bimetálicos para medir cinéticas de crecimiento a bajas dosis en reactores experimentales.