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Silicon Molecular Beam Epitaxy

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978-0-444-88620-0 (en línea)

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No detectada 1989 ScienceDirect

Cobertura temática: Ciencias físicas - Ingeniería de los materiales - Medicina básica  

This two-volume work covers recent developments in the single crystal growth, by molecular beam epitaxy, of materials compatible with silicon, their physical characterization, and device application. Papers are included on surface physics and related vacuum synthesis techniques such as solid phase epitaxy and ion beam epitaxy.

A selection of contents: Volume I. SiGe Superlattices. SiGe strained layer superlattices (G. Abstreiter). Optical properties of strained GeSi superlattices grown on (001)Ge (T.P. Pearsall et al.). Growth and characterization of SiGe atomic layer superlattices (J.-M. Baribeau et al.). Optical properties of perfect and imperfect SiGe superlattices (K.B. Wong et al.). Confined phonons in stained short-period (001) Si/Ge superlattices (W. Bacsa et al.). Calculation of energies and Raman intensities of confined phonons in SiGe strained layer superlattices (J. White et al.). Rippled surface topography observed on silicon molecular beam epitaxial and vapour phase epitaxial layers (A.J. Pidduck et al.). The 698 meV optical band in MBE silicon (N. de Mello et al.). Silicon Growth Doping. Dopant incorporation kinetics and abrupt profiles during silicon molecular beam epitaxy (J.-E. Sundgren et al.). Influence of substrate orientation on surface segregation process in silicon-MBE (K. Nakagawa et al.). Growth and transport properties of SimSb1 (H. Jorke, H. Kibbel). Author Index. Volume. II. In-situ electron microscope studies of lattice mismatch relaxation in GexSi1-x/Si heterostructures (R. Hull et al.). Heterogeneous nucleation sources in molecular beam epitaxy-grown GexSi1-x/Si strained layer superlattices (D.D. Perovic et al.). Silicon Growth. Hydrogen-terminated silicon substrates for low-temperature molecular beam epitaxy (P.J. Grunthaner et al.). Interaction of structure with kinetics in Si(001) homoepitaxy (S. Clarke et al.). Surface step structure of a lens-shaped Si(001) vicinal substrate (K. Sakamoto et al.). Photoluminescence characterization of molecular beam epitaxial silicon (E.C. Lightowlers et al.). Doping. Boron doping using compound source (T. Tatsumi). P-type delta doping in silicon MBE (N.L. Mattey et al.). Modulation-doped superlattices with delta layers in silicon (H.P. Zeindell et al.). Steep doping profiles obtained by low-energy implantation of arsenic in silicon MBE layers (N. Djebbar et al.). Alternative Growth Methods. Limited reaction processing: growth of Si/Si1-xGex for heterojunction bipolar transistor applications (J.L. Hoyt et al.). High gain SiGe heterojunction bipolar transistors grown by rapid thermal chemical vapor deposition (M.L. Green et al.). Epitaxial growth of single-crystalline Si1-xGex on Si(100) by ion beam sputter deposition (F. Meyer et al.). Phosphorus gas doping in gas source silicon-MBE (H. Hirayama, T. Tatsumi). Devices. Narrow band gap base heterojunction bipolar transistors using SiGe alloys (S.S. Iyer et al.). Silicon-based millimeter-wave integrated circuits (J-F. Luy). Performance and processing line integration of a silicon molecular beam epitaxy system (A.A. van Gorkum et al.). Silicides. Reflection high energy electron diffraction study of Cosi2/Si multilayer structures (Q. Ye at al.). Epitaxy of metal silicides (H. von Kanel et al.). Epitaxial growth of ErSi2 on (111)si (D. Loretto et al.). Other Material Systems. Oxygen-doped and nitrogen-doped silicon films prepared by molecular beam epitaxy (M. Tabe et al.). Properties of diamond structure SnGe films grown by molecular beam epitaxy (A. Harwit et al.). Si-MBE: Prospects and Challenges. Prospects and challenges for molecular beam epitaxy in silicon very-large-scale integration (W. Eccleston). Prospects and challenges for SiGe strained-layer epitaxy (T.P. Pearsall). Author Index.


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Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems (SiRF), 2012 IEEE 12th Topical Meeting on

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ISBNs: 978-1-4577-1317-0 (impreso)

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No detectada 2012 IEEE Xplore

Cobertura temática: Ciencias físicas - Ingeniería eléctrica, electrónica e informática - Ingeniería de los materiales  


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Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems (SiRF), 2013 IEEE 13th Topical Meeting on

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ISBNs: 978-1-4673-1552-4 (impreso) 978-1-4673-1551-7 (en línea)

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No detectada 2013 IEEE Xplore

Cobertura temática: Ciencias físicas - Ingeniería eléctrica, electrónica e informática - Ingeniería de los materiales  


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Silicon Monolithic Integrated Circuits in Rf Systems (SiRF), 2014 IEEE 14th Topical Meeting on

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No detectada 2014 IEEE Xplore

Cobertura temática: Ciencias físicas - Ingeniería eléctrica, electrónica e informática - Ingeniería de los materiales  


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Silicon Nanodevices

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Cobertura temática: Ciencias físicas  


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Silicon Photonics Bloom

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Cobertura temática: Ciencias físicas  


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Silicon-Germanium Technology and Device Meeting (ISTDM), 2014 7th International

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ISBNs: 978-1-4799-5427-8 (impreso)

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No detectada 2014 IEEE Xplore

Cobertura temática: Ciencias físicas - Ingeniería eléctrica, electrónica e informática - Ingeniería de los materiales  


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Silicon-Organic Hybrid Platform for Photonic Integrated Circuits

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Cobertura temática: Ciencias físicas  


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Silver Nanoparticles

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Cobertura temática: Ciencias físicas - Ciencias de la tierra y ciencias ambientales relacionadas - Nanotecnología - Ingeniería de los materiales  


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Simetrías ocultas, twistors y estabilidad de campos lineales en agujeros negros

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Autores/as: Bernardo Gabriel Araneda ; Gustavo Daniel Dotti

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No requiere 2018 Repositorio Digital Universitario (SNRD) acceso abierto
No requiere 2018 CONICET Digital (SNRD) acceso abierto

Cobertura temática: Ciencias físicas  

En 4 dimensiones, nuestros resultados valen para perturbaciones de toda la clase de espacio-tiempos Einstein de tipo Petrov D, que incluye la métrica de Kerr-(A)dS que representa un agujero negro rotante con constante cosmológica. Encontramos una identidad de operadores sobre el espacio de campos espinoriales irreducibles de spin 1/2, 1 y 2, que relaciona las ecuaciones de campo con ecuaciones escalares de tipo onda con peso. Esta identidad permite tomar ecuaciones adjuntas y reconstruir los campos de spin superior a partir de campos escalares, lo cual conduce a operadores de simetría para las ecuaciones diferenciales involucradas, y además sugiere conexiones con ciertos mecanismos en teoría de twistors. En este sentido, mostramos también la aparición de simetrías ocultas asociadas a espinores de Killing pesados y tensores conformes de Killing-Yano. Encontramos que toda la estructura de simetrías anterior puede asociarse a la covariancia conforme intrínseca a los campos sin masa, y que además esto guarda una profunda relación con estructuras complejas en el espacio-tiempo. Introducimos la noción de twistor local con peso y su correspondiente conexión en el fibrado de twistors. Con respecto a aspectos de estabilidad, nos enfocamos en agujeros negros estáticos asintóticamente Anti-de Sitter, donde el espacio-tiempo no es globalmente hiperbólico y por lo tanto el análisis de la dinámica de campos lineales involucra un estudio de las condiciones de borde en el infinito temporal. Mostramos que las condiciones de borde mixtas (de Robin) son naturalmente motivadas, y encontramos que, mientras que los campos de Klein-Gordon sin masa son modalmente estables, tanto los campos de Maxwell como de gravedad linealizada son inestables bajo cierto rango del parámetro de Robin. Analizamos también la ruptura de la supersimetría entre modos gravitacionales y su relación con la estabilidad de los campos. Estos resultados son de relevancia en el contexto de la conjetura AdS/CFT de Maldacena, en la cual los duales gravitacionales son frecuentemente agujeros negros asintóticamente AdS. Nuestro estudio se basa en el análisis de ciertos operadores elípticos (tipo Schrödinger) definidos en una semilínea. Finalmente, en espacio-tiempos de altas dimensiones, nuestros resultados se aplican a perturbaciones de la clase Kundt y de agujeros negros estáticos. La clase Kundt es relevante porque contiene como caso particular las soluciones asociadas a geometrías cerca del horizonte de agujeros negros extremos, que han cobrado mucha importancia en la actualidad por su relación con la correspondencia Kerr/CFT. Siguiendo las ideas del caso 4-dimensional, modificamos las formas de conexión GHP e introducimos operadores de onda generalizados, mostrando que las ecuaciones de Teukolsky (y relacionadas) en dimensiones arbitrarias tienen una estructura tipo onda, y que las mismas se obtienen off shell como proyecciones de un operador de Laplace-de Rham modificado. Por último, mostramos también la relación entre las derivadas modificadas, tensores de tipo Killing con peso, y operadores conformemente covariantes. Los resultados brindan un mayor entendimiento de la estructura geométrica de las ecuaciones asociadas a perturbaciones de espacio-tiempos de altas dimensiones.