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Los grandes relevamientos extragalácticos han sido una pieza fundamental en nuestra comprensión de la cosmología y la formación de galaxias en las últimas décadas. Actualmente, con el advenimiento de proyectos revolucionarios del conocimiento como Euclid y el Gran Telescopio para Rastreos Sinópticos (LSST), las simulaciones cosmológicas ocupan un rol fundamental tanto en el diseño de estos relevamientos como en la interpretación de los datos que serán recolectados. Estas simulaciones son requeridas para establecer las predicciones teóricas, para generar catálogos que permitan cuantificar efectos observacionales sistemáticos y de selección, para realizar análisis de datos y para optimizar las estrategias de observación. Entre los tipos de simulaciones utilizadas para comprender la evolución de las galaxias, los modelos semianalíticos de formación y evolución de galaxias adquieren una importancia estratégica dada su ventaja en tiempo de cálculo y predictibilidad teórica. En esta Tesis nos enfocamos en el código semianalítico SAG, el cual hemos modificado y adaptado para poder permitir generar catálogos de galaxias de amplia envergadura, así como también hemos estudiado y mejorado aspectos particulares del modelo físico que nos permiten obtener poblaciones de galaxias con propiedades más consistentes con las observadas. Específicamente, hemos introducido cambios técnicos globales en el código que incluyen: una adaptación a nuevos tipos de simulaciones con formato estándar, estrategias de optimización, rendimiento y paralelización para analizar grandes entradas de datos en supercomputadoras. Detallamos comparaciones entre las diferentes versiones del modelo, así como análisis del algoritmo del mismo y estadísticas de rendimiento. También nos hemos enfocado en algunos tratamientos evolutivos aplicados a las galaxias satélites. Analizamos el método de integración de órbitas de las galaxias satélites huérfanas mediante el ajuste de la tasa de fusiones de la población de galaxias, implementamos correcciones para considerar la periodicidad de las simulaciones en esta integración, y desarrollamos un ajuste empírico para modelar la pérdida de material de las galaxias satélites debido a la presión de barrido ejercida por el medio. Finalmente, utilizamos todos los cambios y mejoras anteriores para crear un catálogo de galaxias de gran envergadura aplicando el código SAG sobre la simulación pública MDPL2 del grupo MultiDark, en contexto de un proyecto de colaboración. Este catálogo será publicado mediante una base de datos abierta en línea. Detallamos todo el análisis necesario realizado para construir este catálogo, así como los resultados intermedios y las estadísticas generales de cálculo. Incluimos también análisis de los modelos utilizados en cada etapa de la construcción del catálogo final. El catálogo resultante consiste en una población de galaxias simuladas cuyas propiedades cumplen una serie de restricciones fundamentales basadas en observaciones de relevamientos extragalácticos y muestra predicciones consistentes. Esta muestra se compone de aproximadamente 194 millones de galaxias a z=0, y considera un total de 125 instantáneas en su historia evolutiva.

El rápido desarrollo de la tecnología de memorias electrónicas acompaña la evolución continua de la tecnología informática y otros dispositivos electrónicos de consumo, como reproductoras de audio digital, cámaras digitales y teléfonos móviles. En la actualidad, dos tipos de memoria dominan el mercado: la memoria dirigida eléctricamente y la memoria dirigida mecánicamente. El primero caso incluye típicamente las memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM) y las memorias FLASH. La memoria direccionada mecánicamente se refiere principalmente a la memoria de almacenamiento magnético, típicamente los discos duros, que tiene una capacidad de almacenamiento mucho más alta y un precio más bajo que la DRAM y la memoria flash, pero presentan bajas velocidades de escritura y lectura.Las memorias DRAM están compuestas básicamente por un transistor y un condensador que almacenan carga. Si bien presentan excelentes prestaciones en cuanto a durabilidad (1016 ciclos de escritura), velocidad de lectura/escritura (<10ns) o consumo de energía (10-15 J/bit), poseen la desventaja de que son volátiles, es decir, la información que almacenan se pierde si se suspende su alimentación eléctrica. Por otra parte, las memorias FLASH son no volátiles ?poseen tiempos de retención de alrededor de 10 años- pero presentan como desventaja su baja velocidad de escritura (1s-10ms), alto consumo de energía (10-10 J/bit) y durabilidad limitada (105 ciclos de escritura). En base a lo descripto, el mercado de memorias electrónicas requiere una nueva tecnología de memorias no volátiles que combinen las ventajas de las DRAM y las FLASH, sin presentar sus desventajas.Muchas empresas e institutos de investigación están involucrados en el desarrollo de nuevas tecnologías de memorias, como la RAM magnética (MRAM), la RAM Ferroeléctrica (FeRAM), memorias de cambio de fase (PCM) y la RAM Resistiva (RRAM). Se espera que la tecnología que prevalezca pueda reemplazar a las memorias de semiconductores existentes; para esto, es necesario que sean compatibles con la tecnología CMOS estándar. Una celda RRAM ?también llamado memresistor- consiste básicamente en una estructura metal / aislante / metal (MIM). El principio de la tecnología RRAM es la conmutación de los estados de resistencia ?llamado usualmente conmutación resistiva o resistive switching- de la capa aislante aplicando un estímulo eléctrico adecuado. De esta forma, es posible obtener estados de ?baja resistencia? (RLOW o ON) y estados de alta resistencia (RHIGH o OFF) no volátiles, correspondientes a estados "1" y "0" lógicos. Los materiales dieléctricos que presentan este efecto comprenden una gran variedad de óxidos de metales de transición binarios y complejos, incluyendo óxidos de tipo perovskita. Los primeros reportes de efectos de conmutación resistiva datan de la década del 60?, pero fue en la primera década de este siglo cuando se disparó un notable interés en este efecto, tanto a nivel de ciencia básica como de desarrollo de dispositivos, motivado por el interés tecnológico ya descripto. Sin embargo, a la fecha no están completamente comprendidos y controlados a la nanoescala los mecanismos que originan la conmutación resistiva, lo que constituye un cuello de botella para la implementación masiva de esta tecnología.Por otra parte, algunas características del comportamiento eléctrico de los memresistores emulan el de las sinapsis neuronales, por lo que en los últimos años se ha disparado el interés para usar este tipo de dispositivos en el desarrollo de circuitos neuromórficos, que emulen la enorme capacidad de cálculo con baja energía de los sistemas biológicos, capaces de realizar tareas complejas como el reconocimiento de imágenes de manera extremadamente eficiente.Este trabajo de Tesis contribuye con el estudio de los mecanismos memresistivos existentes en sistemas basados en films delgados de distintas manganitas, tanto a partir de mediciones macroscópicas como en la nanoescalaSe estudiaron dispositivos de memoria resistiva basados en las manganitas La1/3Ca2/3MnO3, La1/2Sr1/2Mn1/2Co1/2O3, y TbMnO3 en forma de películas delgadas depositadas sobre sustratos de n-Si, Si/Pt y Nb:SrTiO3. Los depósitos de los óxidos se realizaron mediante la técnica de ablación por láser pulsado.

Los objetivos de la presente tesis consisten en: i) verificar que el dopado con material fisionable no sólo sirve para simular irradiaciones con neutrones rápidos, sino que constituye un método experimental válido y eficaz para el estudio del crecimiento por irradiación en forma acelerada, y ii) demostrar la validez del uso de pares bimetálicos para medir cinéticas de crecimiento a bajas dosis en reactores experimentales.

La salinidad es uno de los mayores factores limitantes para la expansión de la frontera agrícola, afecta a más de 30 millones de hectáreas principalmente en las regiones áridas y semiáridas, donde es una de las principales limitaciones edáficas para la producción de plantas forrajeras. Cenchrus ciliaris (Poaceae), es una especie perenne, nativa de África y de la mitad este de Asia de conocida tolerancia a condiciones de sequía y elevadas temperaturas. Sin embargo la información sobre la tolerancia a condiciones de salinidad es escasa por lo que el objetivo general de este trabajo fue aportar conocimientos sobre los efectos de la salinidad en el rendimiento de forraje y semilla de Cenchrus ciliaris y algunos de los mecanismos fisiológicos subyacentes. Para esto se utilizaron tres cv Americana, Biloela y Texas, que se cultivaron en containers de 1000 litros sobre arena lavada durante dos temporadas. Este sistema de cultivo permitió controlar los niveles de salinidad en el sustrato, similar a una hidroponía, pero mantener a las plantas en condiciones de campo en cuanto a temperatura, radiación, humedad, vientos etc. Haciendo así que los resultados sean mucho más próximos y extrapolables a una condición real de cultivo. Los tratamientos consistieron en riegos con soluciones de NaCl de 8, 13 y 18 dS/m, sobre una base de solución nutritiva. El control consistió solamente en la mencionada solución nutritiva (3 dS/m). Para evitar la acumulación de sales en el perfil se diseñó un sistema de drenaje que permitió monitorear diariamente el lixiviado de riego y mantener el sistema estable. Los efectos de los tratamientos se evaluaron sobre variables de crecimiento y de rendimiento reproductivo. También se realizaron mediciones de potencial hídrico, osmótico, contenido relativo de agua (RWC)y acumulación de iones en lámina foliar. Para determinar si la semillas obtenidas de plantas estresadas toleran mejor condiciones de estrés durante la germinación, estas se incubaron en soluciones de NaCl de -0.5, -1, -1.5, -2, -2.5 y -3 MPa. Los resultados mostraron que los tres cv responden de manera similar frente al estrés, disminuyendo el crecimiento vegetativo y el rendimiento conforme aumenta la salinidad. Como respuesta general a los tratamientos salinos el crecimiento disminuyó al igual que lo observado para condiciones de estrés hídrico. De todas las etapas del ciclo ontogénico estudiadas la más susceptible fue la inicial que comprendió plantas que estaban iniciando la etapa reproductiva, siendo el cv Biloela el más susceptible. Luego hacia el final de la temporada de crecimiento las diferencias entre el control y el tratamiento menos salino (8 dS/m)desaparecieron. Esto indica que el cultivo es más sensible a la salinidad en la etapa vegetativa y el inicio de la etapa reproductiva. De las componentes del rendimiento reproductivo sólo el número de espigas por planta y el peso de 100 cariopses se vieron afectados. Con respecto a las variables hídricas los tres cv modificaron tanto el potencial hídrico como el osmótico y mantuvieron su RWC constante. Los iones adicionados con los tratamientos Na+ y Cl- se acumularon en hoja conforme aumentó la conductividad de las soluciones de riego. El análisis de K+ para cada cv mostró que en todos los casos los niveles de este ion fueron significativamente mayores en el control que en los tratamientos. En los tres cv estudiados se observó que semillas provenientes de plantas que crecieron en condiciones de salinidad germinaron en mayor cantidad y más rápido que las provenientes del control. En el cv Texas estas diferencias son especialmente marcadas, así semillas provenientes del tratamiento con mayor nivel de salinidad (18 S/m)germinaron casi un 50 por ciento más que las provenientes del control. El efecto de la salinidad durante el desarrollo de las semillas incrementó los niveles de germinación en los controles (0 Mpa)y en condiciones moderadas de salinidad (-0,5 a -1,5 MPa)