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Título de Acceso Abierto
Estudio del crecimiento de películas delgadas de Co sobre Si(100) y SiO<SUB>2</SUB>, así como su interacción con O<SUB>2</SUB>
Guillermo Alfredo Benitez José María Heras
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Resumen/Descripción – provisto por el repositorio digital
El objetivo del presente trabajo es la preparación y caracterización de un modelo de catalizador que servirá luego para el estudio de reacciones sencillas sobre su superficie. El estudio de una reacción superficial requiere como punto de partida el conocimiento lo más detallado posible de la estructura y composición química de la superficie donde se va a llevar a cabo. El modelo de catalizador a estudiar consiste en una película de Co depositada sobre SiO2 previamente formado sobre un monocristal de Si(100). Para alcanzar este objetivo son necesarios varios pasos intermedios: - Estudio del crecimiento de películas delgadas de Co sobre Si(100) a temperatura ambiente. Influencia de la composición del gas residual. Estabilidad frente al recocido a 700 K (temperatura común en procesos catalíticos). - Estudio de la oxidación de Si (por bombardeo con iones oxígeno u otro procedimiento). - Estudio de la formación de películas de Co sobre SiO2. Estabilidad térmica. - Estudio de la adsorción de oxígeno en el sistema Co/SiO2/Si(100). Formación de óxidos de Co.Palabras clave – provistas por el repositorio digital
Química; Catalizador; Reacción superficial; Películas delgadas; Oxidación
Disponibilidad
| Institución detectada | Año de publicación | Navegá | Descargá | Solicitá |
|---|---|---|---|---|
| No requiere | 2001 | SEDICI: Repositorio Institucional de la UNLP (SNRD) |
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Información
Tipo de recurso:
tesis
Idiomas de la publicación
- español castellano
País de edición
Argentina
Fecha de publicación
2001
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