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Distribución de las dislocaciones en monocristales de halogenuros alcalinos crecidos bajo condiciones controladas
Dora María Krasnopolsky de Grinberg
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Resumen/Descripción – provisto por el repositorio digital
En la presente tesis se analizan las condiciones de crecimiento de monocristales de halogenuros alcalinos, de estructura tipo ClNa, la que está formada por dos estructuras cúbicas simples interpenetradas. Para ello se desarrollaron las técnicas de Kyropoulos con semilla fija y semilla rotatoria. Los dispositivos y resultados constituyen la parte A de la presente tesis. El papel desempeñado por el tamaño por el tamaño de la semilla, el gradiente térmico impuesto y la velocidad de crecimiento sin analizados desde el punto de vista termodinámico encontrandose una expresión que vincula dichas variables de crecimiento y que describe bastante bien los resultados experimentales. La expresión encontrada, deducida de consideraciones de transferencia del calor liberado en la interfase por solidificación es del tipo v=(s/hs+LS)*(c/kd) (T´´-T) donde la velocidad de crecimiento está dada por un factor geométrico en donde figuran el área y la altura tanto de la semilla como del cristal, un factor termodinámico que engloba el calor latente de solidificación, el coeficiente de conductividad térmica y la densidad, y un factor temperatura que resulta de la diferencia entre las temperaturas del fundido y de la semilla. Un hecho largamente observado pero nunca analizado, está presentado en el último punto de la parte A. Los cristales crecidos tanto con semilla rotatoria como con semilla fija presentan estrias horizontales paralelas a la interfase. Se midió su espaciado y se encontró una dependencia lineal de éste con la velocidad de crecimiento, al mantener el gradiente térmico constante. Así se obtuvieron sendas rectas para cada uno de los materiales empleados, presentando éstas distintas pendientes. La relación entre las tangentes de dichas rectas es igual a la relación de los factores termodinámicos de cada sustancia, que figura en la fórmula anterior, con un error menor al 10%. Un mecanismo es sujerido para explicar la presencia de estrias. Este se basa en el efecto de las impurezas, las que producirían un crecimiento discontinuo. La parte B de esta tesis está dedicada a estudiar la perfección de los cristales resultantes, por método de ataque químico. Los reactivos químicos empleados son analizados desde el punto de vista de sus constituyentes. Estos reactivos, capaces de revelar dislocaciones nos permitieron analizar el tamaño de la subestructura y la densidad de las dislocaciones. El parágrafo. 3.4 fué dedicado al analisis de la subestructura en cristales de ClK crecidos a crisol completo. Se estudia el efecto de la velocidad de crecimiento sobre la subestructura y el efecto de la distribución de impurezas en el tamaño y estabilidad de la estructura de mosaico. Tres zonas de distinto tamaño de grano aparecen las que coinciden bien con las zonas de distinta concentración de impurezas tratadas teoricamente por Landau (34). En 3.4.3 se sugieren los mecanismos que pueden dar origen a estas subestructuras. Esta tesis consta también de una introducción en donde se presentan los principales conceptos y definiciones, los que luego son usados a lo largo de la tesis y dos apendices. El apendice 1 está dedicado a presentar los efectos de la velocidad de crecimiento sobre la orientación cristalina en monocristales de Cd crecidos por la técnica de Brigman. El apendice 2 es una rápida introducción a la teoría de las dislocaciones en sus aspectos geométricos y sintetiza los principales conceptos que forman el esqueleto de dicha teoría. Un indice temático y uno de fotografía acompaña cada copia.Palabras clave – provistas por el repositorio digital
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Disponibilidad
| Institución detectada | Año de publicación | Navegá | Descargá | Solicitá |
|---|---|---|---|---|
| No requiere | 1964 | Biblioteca Digital (FCEN-UBA) (SNRD) |
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Información
Tipo de recurso:
tesis
Idiomas de la publicación
- español castellano
País de edición
Argentina
Fecha de publicación
1964
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