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IEEE Electron Device Letters
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Disponibilidad
| Institución detectada | Período | Navegá | Descargá | Solicitá |
|---|---|---|---|---|
| No detectada | desde ene. 2004 / hasta dic. 2020 | IEEE Xplore |
Información
Tipo de recurso:
revistas
ISSN impreso
0741-3106
ISSN electrónico
1558-0563
País de edición
Estados Unidos
Fecha de publicación
1980-
Cobertura temática
Tabla de contenidos
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doi: 10.1109/55.902836
Anomalous turn-on voltage degradation during hot-carrier stress in polycrystalline silicon thin-film transistors
F.V. Farmakis; J. Brini; G. Kamarinos; C.A. Dimitriadis
Palabras clave: Electrical and Electronic Engineering; Electronic, Optical and Magnetic Materials.
Pp. 74-76