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Tratamientos superficiales antirreflectantes y elaboración de junturas para celdas solares de silicio cristalino
Juan Carlos Plá Julio César Durán
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Resumen/Descripción – provisto por el repositorio digital
Se analizaron los distintos tratamientos antirreflectantes (AR) para celdas solares de silicio monocristalino: las multicapas dieléctricas y la textura superficial. Se optimizaron numéricamente sistemas AR para superficies planas de silicio de una y dos capas dieléctricas considerando distintos espectros de la radiación solar incidente y diferentes caracteristicas del dispositivo. En particular, se evaluó la influencia del dióxido de silicio pasivante sobre el comportamiento AR de la multicapa. Asimismo, se estudió el caso específico de celdas solares para usos espaciales. Con respecto a la textura superficial, se realizó un análisis teórico original basado en la resolución electromagnética rigurosa de la dispersión de la radiación incidente, en lugar de los modelos de la óptica geométrica corrientemente utilizados en la literatura. Se realizaron cálculos para un medio conductor perfecto, los cuales constituyen una primera aproximación al problema real. Se pusieron a punto técnicas de elaboración de textura superficial mediante ataques quimicos básicos anisótropos, analizando los resultados obtenidos mediante observación por microscopía electrónica y medición de la reflectancia espectral. Utilizando estas técnicas, se fabricaron por primera vez en el pais celdas solares de silicio cristalino que utilizan textura superficial más una capa dieléctrica como técnica AR. El proceso completo incluye la preparación de muestras, el texturado superficial, la difusión de dopantes para la generación de las junturas, y el depósito de contactos por medio de técnicas fotolitográficas. Los dispositivos obtenidos fueron caracterizados midiendo la curva corriente-tensión, la cual fue comparada con el resultado de simulaciones numéricas. Las mejores celdas elaboradas poseen eficiencias de aproximadamente el l7%. En el caso particular del proceso de elaboración de las junturas, el análisis de métodos sencillos presentes en la literatura reciente condujo a proponer nuevas variantes que permiten superar algunas de sus desventajas. Finalmente, la caracterización electrónica de los dispositivos obtenidos se realizó utilizando un método original basado en la técnica OCVD (decaimiento de la tensión de circuito abierto), el cual permite mediante una interpretación sencilla de los resultados la obtención del tiempo de vida media efectivo de los portadores minoritarios en el dispositivo final.Palabras clave – provistas por el repositorio digital
CELDAS SOLARES; SILICIO; ANTIRREFLECTANTE; TEXTURA; PROCESOS DE DIFUSION; JUNTURA; SOLAR CELLS; SILICON; ANTIREFLECTING; TEXTURE; DIFFUSION PROCESSES; JUNCTION
Disponibilidad
| Institución detectada | Año de publicación | Navegá | Descargá | Solicitá |
|---|---|---|---|---|
| No requiere | 1998 | Biblioteca Digital (FCEN-UBA) (SNRD) |
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Información
Tipo de recurso:
tesis
Idiomas de la publicación
- español castellano
País de edición
Argentina
Fecha de publicación
1998
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