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Título de Acceso Abierto

Transporte electrónico en silicio poroso nanoestructurado

Oscar Alonso Marín Ramírez Roberto Roman Koropecki Jorge Feugeas Bernardo Gomez Laura Gutierrez David Mario Comedi

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Resumen/Descripción – provisto por el repositorio digital
En este trabajo se fabricaron dispositivos basados en silicio poroso nanoestructurado, con el fin de estudiar y caracterizar sus propiedades de transporte eléctrico, buscando acumular datos que permitan en un futuro desarrollar dispositivos para la industria electrónica y a su vez aportar conocimientos en el campo de semiconductores nanoestructurados. Se estudió específicamente el comportamiento temporal de la corriente, curvas corriente voltaje a distinta temperatura, corriente térmicamente estimulada y fotoconductividad. Se encontró que cuando se aplica una tensión constante sobre los dispositivos, la corriente evoluciona lentamente y en muchos casos no llega a un nuevo estado estacionario, es decir se mantiene en un estado transitorio. Además, se encontró un cambio en el comportamiento de esta corriente transitoria en función del campo eléctrico aplicado. En curvas IV se observaron efectos asociados a la memoria tal como histéresis, resistencia diferencial negativa y conmutaciones resistivas. Se presentó como posible explicación a los efectos observados, un mecanismo dominado por la existencia de trampas activas a temperatura ambiente en la superficie de los nanohilos del SP y en la interfaz Al/SP. Esta hipótesis se fortaleció con la evidencia de la existencia de trampas en el silicio poroso, las cuales fueron observadas con experimentos de corriente térmicamente estimulada. Se presentan resultados que muestran efectos no reportados para dispositivos basados en silicio, lo cuales confieren un potencial al silicio poroso como material para la aplicación en el desarrollo de memorias.
Palabras clave – provistas por el repositorio digital

Silcio poroso; Semiconductores nanoestructurados; Contactos metal-semiconductor; Propiedades eléctricas de semiconductores; Propiedades ópticas de semiconductores; Memorias volatiles; Porous silicon; Nanostructured semiconductors; Metal-semiconductor contacts; Electrical properties of semiconductors; Optical properties of semiconductors; volatile memories

Disponibilidad
Institución detectada Año de publicación Navegá Descargá Solicitá
No requiere 2013 Biblioteca Virtual de la Universidad Nacional del Litoral (SNRD) acceso abierto

Información

Tipo de recurso:

tesis

Idiomas de la publicación

  • español castellano

País de edición

Argentina

Fecha de publicación