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Título de Acceso Abierto
Propiedades estructurales y electrónicas de óxidos semiconductores con impurezas <SUP>181</SUP>Ta/<SUP>111</SUP>Cd diluídas: Estudio experimental y de primeros principios
Germán Nicolás Darriba Mario Rentería Laura Cristina Damonte Eitel Leopoldo Peltzer y Blancá Helena Maria Petrilli
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Resumen/Descripción – provisto por el repositorio digital
Uno de los objetivos de este trabajo es la determinación de la magnitud y simetría del tensor GCE en óxidos semiconductores policristalinos y también la determinación de la orientación en el caso de óxidos monocristalinos, utilizando la espectroscopía PAC, con el fin de chequear las predicciones de estos observables realizadas mediante cálculos ab initio de estructura electrónica en el marco de la DFT. Del buen acuerdo entre teoría y experimento se pretende validar las propiedades estructurales y electrónicas predichas por estos cálculos mediante la utilización del método “Full-Potential Augmented Plane Wave + Local Orbital” (FP-APW+lo). El estudio de estas propiedades constituye el segundo objetivo del trabajo. La determinación experimental del tensor GCE en muestras monocristalinas nos permite obtener la orientación del GCE, un observable adicional a los determinados usualmente en policristales, con el fin de mejorar la confiabilidad de la validación de las predicciones teóricas.Palabras clave – provistas por el repositorio digital
Ciencias Exactas; óxidos semiconductores; propiedades estructurales y electrónicas; Semiconductores; Física
Disponibilidad
| Institución detectada | Año de publicación | Navegá | Descargá | Solicitá |
|---|---|---|---|---|
| No requiere | 2009 | SEDICI: Repositorio Institucional de la UNLP (SNRD) |
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Información
Tipo de recurso:
tesis
Idiomas de la publicación
- español castellano
País de edición
Argentina
Fecha de publicación
2009
