Catálogo de publicaciones - tesis
Título de Acceso Abierto
Mecanismos de inducción de deleciones en procariotas
Myriam Susana Levy Rosa Nagel
publishedVersion.
Resumen/Descripción – provisto por el repositorio digital
La escisión precisa del transposón Tn10 se tomó como sistema modelo para el estudio de la generación de deleciones que ocurren entre secuencias cortas de ADN duplicadas que limitan a secuencias palindrómicas. Este tipo de estructura genera frecuentemente deleciones en bacterias y en organismos superiores. El transposón Tn 10 es un elemento genético de 9,3-Kb con extremos repetidos invertidos de 1,5-Kb que duplica secuencias de 9-pb de la molécula aceptora durante su inserción en el genoma. La escisión precisa de Tn10 es un evento independiente de la transposición, que se produce por la eliminación de todas las secuencias del transposón junto con una copia de la secuencia repetida de 9-pb. La frecuencia de escisión precisa de Tn10 varía drásticamente con el sitio de inserción entre 10-6 a 10-8 por elemento por generación. En este trabajo se observó que la frecuencia de escisión precisa de Tn10, desde distintos sitios del genoma de Salmonella typhimurium y de Escherichia coli incrementa hasta 50 veces por la acción de la mitomicina C y Ia irradiación ultravioleta. Con el objeto de dilucidar los mecanismos involucrados en la inducción de este fenómeno, se analizó la frecuencia de escisión precisa de Tn 10, luego de irradiación ultravioleta o tratamiento con mitomicina C, en bacterias con mutaciones en genes de reparación del ADN. Los experimentos realizados con Salmonella typhimurium indicaron que el incremento en Ia frecuencia de escisión precisa de Tn10 luego de la irradiación ultravioleta es independiente de la reparación por escisión de dímeros (sistema UvrABC) y dependiente de alguna función de la proteína RecA, ya que no se evidencia en mutantes recA. Los experimentos realizados con la mutante topA y con el plásmido pKM101 sugirieron que la inducción de la escisión precisa de Tn10 ocurre por mecanismos distintos a los involucrados en la inducción de mutaciones puntuales. Se continuaron los estudios en cepas de Escherichia coli con mutaciones en genes del sistema SOS. Los resultados obtenidos con la mutante lexA3 (ind-), que es defectiva en la inducción del sistema SOS, demostraron que es necesaria la expresión de algún gen de este sistema para que se incremente la frecuencia de escisión luego de irradiación ultravioleta. Experimentos realizados en mutantes laxA3 (ind-) portadoras de un plásmido ptac-recA (gen recA regulable por IPTG) indicaron que cantidades aumentadas de proteina RecA no son suficientes para que se produzca la inducción en condiciones de represión de los demás genes SOS. Con el fin de identificar el o los genes SOS responsables del aumento en la frecuencia de escisión luego de irradiación ultravioleta, se analizó la inducción en cepas defectivas en el procesamiento mutagénico SOS y en cepas defectivas en la reparación recombinacional. Los experimentos realizados con mutantes umuC nulas, recA727 y el plásmido pKMlOl demostraron que los mecanismos involucrados en la inducción de la escisión precisa de Tn10 son distintos a los involucrados en la inducción de la mutación puntual. Los experimentos realizados con las mutantes recN, ruvA y ruvB indicaron que estos genes, que participan en la reparación recombinacional o postreplicativa del ADN, intervienen en el proceso en estudio. Los experimentos realizados con las mutantes recBC sbcB y recF, indicaron que los genes recBC o sbcB y recF también podrían estar involucrados en forma directa o indirecta en el proceso de inducción de la escisión precisa de Tn10. Con el fin de comparar los resultados obtenidos sobre el comportamiento de la escisión precisa de Tn10 con los de un elemento genético similar pero de menor tamaño se utilizó un minitransposón de 1,8 Kb (mini-Tn10 Km). Se observó que la frecuencia de escisión de mini-Tn10 km incrementa hasta 10 veces por Ia acción de la mitomicina C y Ia irradiación ultravioleta. Experimentos realizados con mutantes lexA3 (ind-), defectivas en la inducción del sistema SOS, indicaron que la inducción de la escisión de mini-Tn10 Km depende de la expresión de este sistema. Experimentos realizados con mutantes recN y ruvB indicaron que en el incremento de la escisión de mini-Tn10 Km están involucrados genes de reparación recombinacional o postreplicativa. En conclusión, los resultados presentados en este trabajo demuestran que el incremento en la frecuencia de escisión de Tn10 y de mini-Tn10 luego de irradiacrón ultravioleta depende de la expresión del sistema SOS y en particular de genes involucrados en la recombinación y reparación postreplicativa, tales como recN, ruvA y ruvB. Las mutaciones recN262, ruvA60 y ruvB52 no anularon completamente la inducción de la escisión, lo cual sugiere que varios mecanismos diferentes intervendrían en el proceso en estudio y/o que existe un cierto grado de redundancia en las actividades de los genes involucrados.Palabras clave – provistas por el repositorio digital
No disponibles.
Disponibilidad
| Institución detectada | Año de publicación | Navegá | Descargá | Solicitá |
|---|---|---|---|---|
| No requiere | 1993 | Biblioteca Digital (FCEN-UBA) (SNRD) |
|
Información
Tipo de recurso:
tesis
Idiomas de la publicación
- español castellano
País de edición
Argentina
Fecha de publicación
1993
Información sobre licencias CC